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    KRI 考夫曼離子源

    1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

    伯東離子源      精密薄膜控制

    伯東離子源蝕刻均勻性

    伯東離子源精密光學

    伯東離子源MEMS,傳感器和顯示器

    考夫曼離子源創始人 Harold Kaufman

    1926 年在美國出生
    1951 年加入美國 NASA 路易斯研究中心
    1971 年考夫曼博士獲得美國宇航局杰出服務獎
    1978 年考夫曼博士成立了 Kaufman & Robinson,Inc 公司,開始研發生產適合民用的霍爾離子源和考夫曼離子源

    KRI 射頻離子源 RFICP 系列

    射頻離子源, 提供高能量, 低濃度的離子束, 單次工藝時間更長, 適合多層膜的制備和離子濺鍍鍍膜

    型號

    RFICP 40

    RFICP 100

    RFICP 140

    RFICP 220

    RFICP 380

    離子束流

    >100 mA

    >350 mA

    >600 mA

    >800 mA

    >1500 mA

    離子動能

    100-1200 V

    100-1200 V

    100-1200 V

    100-1200 V

    100-1200 V

    柵極直徑

    4 cm Φ

    10 cm Φ

    14 cm Φ

    20 cm Φ

    30 cm Φ

    離子束

    聚焦, 平行, 散射

    KRI 考夫曼離子源 KDC 系列

    離子源通過加熱燈絲產生離子束, 低濃度高能量寬束型離子源

    型號

    KDC 10

    KDC 40

    KDC 75

    KDC 100

    KDC 160

    離子束流

    >10 mA

    >100 mA

    >250 mA

    >400 mA

    >650 mA

    離子動能

    100-1200 V

    100-1200 V

    100-1200 V

    100-1200 V

    100-1200 V

    柵極直徑

    1 cm Φ

    4 cm Φ

    7.5 cm Φ

    12 cm Φ

    16 cm Φ

    離子束

    聚焦, 平行, 散射

    KRI 霍爾離子源 eH 系列

    霍爾離子源無柵極, 高濃度, 低能量寬束型離子源
    發散離子束 >45

    KRI 霍爾離子源 eH 400

    霍爾離子源 eH 400
    尺寸:直徑= 3.7“ 高= 3”
    離子束動能: 50-300eV
    電流: 5a

    霍爾離子源 eh400

    KRI 考夫曼離子源 KDC 75

    考夫曼離子源 KDC 75
    尺寸: 直徑= 5.5“ 高= 7.9”
    離子束動能: 100-1200 eV
    電流: 250 mA

    考夫曼離子源

    KRI 考夫曼離子源 KDC 10

    考夫曼型離子源 KDC 系列最小型號的離子源
    尺寸:直徑= 1.52“ 高= 4.5”
    離子束動能: 100-1200 ev
    電流: 10 mA

    考夫曼離子源  KDC 10

    KRI 考夫曼離子源 KDC 40

    考夫曼離子源 KDC 40
    尺寸: 直徑= 3.5“ 高= 6.75”
    離子束動能: 100-1200 eV
    電流: 120 mA

    考夫曼離子源 KDC40

    KRI 霍爾離子源 eH 1000

    霍爾離子源 eH 1000
    尺寸:直徑= 5.7“ 高= 5.5”
    離子束動能: 50-300V
    電流: 10A

    霍爾離子源

    KRI 霍爾離子源 eH 2000

    霍爾離子源 eH 2000
    尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
    離子束動能: 50-300V
    電流: 10A 或 15A

    霍爾離子源eh2000

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