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    KRI 射頻離子源典型應用 IBE 離子蝕刻
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    KRI 射頻離子源典型應用 IBE 離子蝕刻

    KRI 射頻離子源典型應用 IBE 離子蝕刻
    上海伯東美國 KRI 射頻離子源安裝在日本 NS 離子蝕刻機中, 對應用于半導體后端的 6寸晶圓進行刻蝕
    Hakuto (NS) 離子蝕刻機技術規格:

    型號

    NS 7.5IBE

    NS 10IBE

    NS 20IBE-C

    NS 20IBE-J

    適用范圍

    適用于科研院所,實驗室研究

    適合小規模量產使用和實驗室研究

    適合中等規模量產使用的離子刻蝕機

    適合大規模量產使用的離子刻蝕機

    基片尺寸

    Φ4 X 1片或
    Φ6 X 1片

    φ8 X 1片

    φ3 inch X 8片
    φ4 inch X 6片
    φ8 inch X 1片

    Φ4 inch X 12片
    φ5 inch X 10片
    φ6 inch X 8片

    離子源

    8cm 或 10cm
    考夫曼離子源

    10cm NS離子源

    20cm 考夫曼離子源

    20cm 考夫曼離子源

    上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長
    RFICP  系列提供完整的套裝, 套裝包含離子源, 電子供應器, 中和器, 電源控制等
    RFICP  系列離子源是制造精密薄膜和表面的有效工具, 有效改善靶材的致密性光透射,均勻性,附著力等
     

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