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    KRI 考夫曼離子源 KDC 40
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    KRI 考夫曼離子源 KDC 40

    KRI 考夫曼離子源 KDC 40
    上海伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 40: 小型低成本直流柵極離子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型離子源升級款. 具有更大的柵極, 更堅固, 可以配置自對準第三層柵極. 離子源 KDC 40 適用于所有的離子工藝, 例如預清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積. 離子源 KDC 40 兼容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮氣. 標準配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.

    KRI 考夫曼離子源 KDC 40 技術參數

    型號

    KDC 40

    供電

    DC magnetic confinement

     - 陰極燈絲

    1

     - 陽極電壓

    0-100V DC

    電子束

    OptiBeam™

     - 柵極

    專用, 自對準

     -柵極直徑

    4 cm

    中和器

    燈絲

    電源控制

    KSC 1202

    配置

    -

     - 陰極中和器

    Filament, Sidewinder Filament  或LFN 1000

     - 架構

    移動或快速法蘭

     - 高度

    6.75'

     - 直徑

    3.5'

     - 離子束

    集中
    平行
    散設

     -加工材料

    金屬
    電介質
    半導體

     -工藝氣體

    惰性
    活性
    混合

     -安裝距離

    6-18”

     - 自動控制

    控制4種氣體

    * 可選: 可調角度的支架


    KRI 考夫曼離子源 KDC 40 應用領域
    濺鍍和蒸發鍍膜 PC
    輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
    表面改性, 激活 SM
    離子濺射沉積和多層結構 IBSD
    離子蝕刻 IBE

    其他產品
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