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    KRI 霍爾離子源 eH 2000
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    KRI 霍爾離子源 eH 2000

    KRI 霍爾離子源 eH 2000
    上海伯東代理美國原裝進口 KRI 霍爾離子源 eH 2000 是一款更強大的版本, 帶有水冷方式, 他具備 eH 1000 所有的性能, 低成本設計提供高離子電流, 特別適合大中型真空系統. 通常應用于離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻.
    尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
    放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A 或 15A
    操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體

    KRI 霍爾離子源 eH 2000 特性
    水冷 - 與 eh 1000 對比, 提供更高的離子輸出電流
    可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時, 最大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極
    寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
    多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統; 安裝方便
    高效的等離子轉換和穩定的功率控制

    KRI 霍爾離子源 eH 2000 技術參數

    型號

    eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO

    供電

    DC magnetic confinement

      - 電壓

    40-300V VDC

      - 離子源直徑

    ~ 5 cm

      - 陽極結構

    模塊化

    電源控制

    eHx-30010A

    配置

    -

      - 陰極中和器

    Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

      - 離子束發散角度

    > 45° (hwhm)

      - 陽極

    標準或 Grooved

      - 水冷

    前板水冷

      - 底座

    移動或快接法蘭

      - 高度

    4.0'

      - 直徑

    5.7'

      - 加工材料

    金屬
    電介質
    半導體

      - 工藝氣體

    Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

      - 安裝距離

    16-45”

      - 自動控制

    控制4種氣體

    * 可選: 可調角度的支架; Sidewinder

    KRI 霍爾離子源 eH2000 應用領域
    •  離子輔助鍍膜 IAD
    •  預清洗 Load lock preclean
    •  預清洗 In-situ preclean
    •  Direct Deposition
    •  Surface Modification
    •  Low-energy etching
    •  III-V Semiconductors
    •  Polymer Substrates

    1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.

     

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